- Центральная длина волны 808nm
- Допустимое отклонение длины волны ±8nm
- Рабочий режим QCW
- Пиковая мощность 65 W/чип
- Размер пятна 12,7х12,7
- Быстрое расхождение осей (FWHM) 38 градусов
- Медленное расхождение осей (FWHM) 12 градусов
- Ширина импульса ≤400ms
- Рабочий цикл ≤60%
- Рабочий ток Iop 65А
- Пороговый ток Ith 10А
- Рабочее напряжение 8v
- Эффективность преобразования энергии 45 ~ 48%
- Рабочая Температура 15 ~ 30℃
- Температура хранения 0 – 55℃
VCSEL Diode Laser Stack Laserconn
Вертикальный диод
Отзывы
Отзывов пока нет.