- Центральная длина волны 890nm – 905nm – 920nm
- Выходная мощность 140W
- Рабочий режим QCW
- Ширина спектра 5nm
- Ширина излучателя 300*14um
- Ширина чипа 400um
- Толщина 150um
- Быстрое расхождение осей (FWHM) 30 градусов
- Медленное расхождение осей (FWHM) 13 градусов
- Режим поляризации TE
- Эффективность наклона 4,7W/А
- Рабочий ток Iop 22А – 30А
- Пороговый ток Ith 0,8 А
- Рабочее напряжение 11v – 12v
- Эффективность преобразования 41%
- Ширина импульса 200um
- Рабочий цикл 0,10%
- Частота повторения 5000Hz
- Рабочая Температура 25℃
- Температурный коэффициент длины волны 0,31nm/℃
140W 905nm Single Emitter Diode Laser Chip
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.