- Центральная длина волны 890nm – 905nm – 920nm
- Выходная мощность 75W
- Рабочий режим QCW
- Ширина спектра 4nm
- Ширина излучателя 200um
- Ширина чипа 400um
- Длина полости 990um – 1000um – 1010um
- Толщина 110um – 130um – 150um
- Быстрое расхождение осей (FWHM) 30 градусов
- Медленное расхождение осей (FWHM) 10 градусов
- Режим поляризации TE
- Эффективность наклона 2,8 W/А – 3W/А
- Рабочий ток Iop 31А – 34А
- Пороговый ток Ith 1,3 А
- Рабочее напряжение 6,3В – 7В
- Эффективность преобразования 35% – 40%
- Ширина импульса 100um
- Рабочий цикл 0,01%
- Частота повторения 1000Hz
- Рабочая Температура 25℃
- Температурный коэффициент длины волны 0,31nm/℃
75W 905nm Pulse QCW Single Emitter Diode Laser Chip
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.