- ширина спектра 4nm
- ширина излучателя 100um
- эффективность наклона 1W/A
- эффективность преобразования 58%
- оптимизированная конструкция эпитаксиальной структуры
- уникальная технология для высочайшей надежности и срока службы
Лазерный чип