- Центральная длина волны 808nm
- Выходная мощность 80W
- Рабочий режим CW
- Ширина спектра 4nm
- Количество излучателей 19
- Ширина излучателя 150um
- Шаг эмиттера 500um
- Фактор заполнения 30%
- Ширина полосы 10000um
- Толщина 130um
- Быстрое расхождение осей (FWHM) 32deg
- Медленное расхождение осей (FWHM) 9deg
- Режим поляризации TE
- Эффективность наклона 1.2W/A
- Модуляция мощности 100%
80W 808nm CW Laser Bar Chip
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.