- Центральная длина волны 808nm
- Выходная мощность 300W
- Режим работы QCW
- Модуляция мощности 100%
- Количество излучателей 60
- Ширина излучателя 120um
- Длина полости 1500um
- Шаг эмиттера 160um
- Коэффициент заполнения 75%
- Ширина полосы 10000um
- Толщина 125um
- Пороговый ток 30А
- Рабочий ток 280-290А
- Рабочее напряжение 1,9-2,1v
- Длина импульса 803nm
- Эффективность преобразования 50%
- Эффективность наклона 1,2 W/А
- Медленное расхождение оси 12
- Расхождение по быстрой оси 39
- Спектральная ширина 4nm
- Температурные характеристики 0,28 nm/℃
- Поляризация ТE
- рабочая температура LD 25℃
High-power Industrial Laser Chips 300W 808nm
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.