6W 808nm Chip on Submount Diode Laser
Лазерный диод
- Центральная длина волны 808nm
- Допустимое отклонение длины волны ±10nm
- Выходная мощность 6w
- Ширина излучателя 100um
- Пороговый ток 0,9A
- Рабочий ток 6А
- Рабочее напряжение 1,8v
- Температура испытания 25℃
- Температура хранения -30 – 70℃
- Длина волны Темп.Коэффициент 0,35nm/℃
Отзывы
Отзывов пока нет.