- Центральная длина волны 890nm – 905nm – 920nm
- Выходная мощность 150w
- Рабочий режим QCW
- Ширина спектра 5nm
- Ширина излучателя 500um
- Ширина чипа 400um
- Длина полости 750um
- Толщина 150um
- Быстрое расхождение осей (FWHM) 30 градусов
- Медленное расхождение осей (FWHM) 10 градусов
- Режим поляризации TE
- Эффективность наклона 4,7 W/А
- Рабочий ток Iop 28А
- Пороговый ток Ith 1,1 А
- Рабочее напряжение 18v
- Эффективность преобразования 40%
- Ширина импульса 100um
- Рабочий цикл 0,10%
- Частота повторения 5000Hz
- Рабочая Температура 25℃
- Температурный коэффициент длины волны 0,31 nm/℃
150W 905nm High Power Diode Laser Chip
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.