- Длина волны импульса 803nm – 808nm – 813nm
- Выходная мощность 100W
- Рабочий режим CW
- Ширина спектра 4nm
- Количество излучателей 47
- Ширина излучателя 100um
- Шаг эмиттера 200um
- Фактор заполнения 50%
- Ширина полосы 9900um – 10000um – 10100um
- Длина полости 1490um – 1500um – 1510um
- Толщина 110um – 130um – 150um
- Быстрое расхождение осей (FWHM) 39 градусов
- Медленное расхождение осей (FWHM) 10 градусов
- Режим поляризации ТE
- Эффективность наклона 1,05 W/А – 1,15 W/А
- Рабочий ток Iop 105А – 110А
- Пороговый ток Ith 18А – 20А
- Рабочее напряжение 1,8v- 2v
- Эффективность преобразования 50% – 55%
- Рабочая Температура 15℃ – 25℃ – 35℃
- Температурный коэффициент длины волны 0,28 ℃
100W 808nm Single Bar Laser Chip
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.