- Центральная длина волны 808nm
- Выходная мощность 20 Вт
- Режим работы CW
- Модуляция мощности 100%
- Количество излучателей 47
- Ширина излучателя 80um
- Длина полости1000um
- Шаг эмиттера 200um
- Коэффициент заполнения 40%
- Ширина полосы 10000um
- Пороговый ток 9~10А
- Рабочий ток 26~28А
- Рабочее напряжение 1,7-1,9V
- Эффективность наклона 1,2 W/А
- Медленное расхождение оси 12
- Расхождение по быстрой оси 36
- Спектральная ширина 4nm
- Температурные характеристики 0,28nm/℃
- Поляризация TE
- Рабочая температура LD25℃
20W 808nm Umounted Semiconductor Diode Laser Bars and Chips
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.