3W 850nm Vcsel Die Laser Diode Chip
Vcsel Die
- Центральная длина волны 850nm±10nm
- Выходная мощность 3w
- Рабочий режим QCW
- Ширина импульса 0,5ms
- Рабочий цикл 1%
- Угол расхождения 22 градуса
- Количество излучателя 624
- Рабочий ток Iop 4А
- Пороговый ток Ith 680 мА
- Рабочее напряжение 2,3v
- Температура испытания 25℃
- Температура хранения -40 ~ 105℃
- Стандарт количества IATF-16949
Отзывы
Отзывов пока нет.