• Каталог
Главное меню
Главная
Магазин
0

Корзина (0)

Продолжайте Делать Покупки
Каталог

+7 (495) 796-76-74

Недавно просмотренные
Главная›BrandNew›Чипы›10W 808nm Laser Chip Bonding
10W 808nm Laser Chip Bonding
Добавьте свой отзыв

10W 808nm Laser Chip Bonding

Лазерный чип

Доступность: В наличии
Теги:
  • Центральная длина волны 808nm
  • Выходная мощность 10W
  • Рабочий режим CW
  • Эффективность наклона 1,22W/A
  • Ширина излучателя 190um
  • Шаг эмиттера 680um
  • Длина полости 4nm
  • Режим поляризации ТE
  • Эффективность наклона 1,22W/A
  • Пороговый ток 1,25 А
  • Рабочий ток 10А
  • Рабочее напряжение 1,75v
  • Эффективность преобразования энергии 58%
  • Рабочая Температура 15-35℃
  • Температура хранения 0-80℃
  • Длина волны Темп.Коэффициент 0,28nm/℃
Показать больше

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “10W 808nm Laser Chip Bonding”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Похожие товары
В корзину

50W 808nm Infrared Laser Diode Bare Chip, Laser Chip Manufacturer

В корзину
В корзину

75W 905nm Pulse QCW Single Emitter Diode Laser Chip

В корзину
В корзину

High-power Industrial Laser Chips 300W 808nm

В корзину
В корзину

3W 808nm CW Single Emitter Laser Chip

В корзину
В корзину

150W 808nm QCW Laser Diode Bars and Chips

В корзину
В корзину

High Power 200W 808nm Laser Chip Laser Bare Bar

В корзину
наверх
Товары были добавлены в корзину