- Центральная длина волны 808nm
- Выходная мощность 2w
- Режим работы CW
- Модуляция мощности 100%
- Ширина излучателя 40um
- Длина полости 2000um
- Высота чипа 150um
- Чип Widch 400um
- Пороговый ток 0,3 А
- Рабочий ток 2А
- Рабочее напряжение 1,8v
- Длина импульса 808nm
- Эффективность наклона 1,2W/А
- Эффективность преобразования 55%
- Медленное расхождение оси 10
- Расхождение по быстрой оси 35
- Спектральная ширина 3nm
- Поляризация ТE
- Температурные характеристики 0,28 nm/℃
- LDРабочая температура 25℃
2W 830nm Single-emitter SE Bare Laser Bar
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.