- Центральная длина волны 930nm – 940nm – 950nm
- Выходная мощность 12W
- Рабочий режим CW
- Модуляция мощности 100%
- Ширина спектра 4nm
- Ширина излучателя 90um – 95um
- Шаг эмиттера 390um – 400um – 410um
- Фактор заполнения 100%
- Длина полости 3990um – 4000um – 4010um
- Толщина 110um – 130um – 150um
- Быстрое расхождение осей (FWHM) 29 градусов
- Медленное расхождение осей (FWHM) 9 градусов
- Режим поляризации TE
- Эффективность наклона 1W/А
- Рабочий ток Iop 13А – 11А
- Пороговый ток Ith 0,7А – 1А
- Рабочее напряжение 1,7 v – 2v
- Эффективность преобразования 52% – 56%
- Рабочая Температура 15℃ – 25℃ – 35℃
- Температурный коэффициент длины волны 0,34nm/℃
12W 940nm Single Emitter Laser Chip
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.