Главная
Магазин

100mW 808nm TO-Mount Laser Diode TO-5

Диодный лазер

Доступность: В наличии
  • Абсолютные максимальные значения (Тс=25℃)
  • Оптическая выходная мощность Po 100mw
  • LD Обратное напряжение Vr (LD) 2v
  • Температура хранения Tstg -40 ~ 80℃
  • Температура рабочего корпуса Tc -20 – 50℃
  • Исходные электрические/оптические характеристики (Тс=25℃)
  • Оптический выход Po 100mw
  • Пиковая длина волны* λp 808 ± 5nm
  • Пороговый ток Ith ≤0,02 А
  • Рабочий ток Iop ≤0,17 А
  • Наклонная эффективность η ≥1,0w/А
  • Рабочее напряжение ≤1,9v
  • Горизонтальное расхождение θ∥ ≤8deg
  • Вертикальная расходимость луча θ⊥ ≤18deg
  • Спектр на полувысоте <0,5
  • Температурный коэффициент длины волны 0,28nm/℃
  • Поляризация ТE

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “100mW 808nm TO-Mount Laser Diode TO-5”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

наверх
Товары были добавлены в корзину