- Центральная длина волны 532nm
- Допустимое отклонение длины волны ±3nm
- Выходная мощность 100mW
- Рабочий ток Iop 1А
- Рабочее напряжение 2.1v
- Рабочий ток/напряжение TEC2,5 А/6,3 В
- Термистор kΩ/β(25℃) 10±5%/3450
- Рабочий ток/напряжение TEC 2,5 А
- Температура испытания25℃
- Температура хранения -20 ~ 50℃
100mW 532nm Free Space Diode Laser
Лазерный чип с волоконно-оптической связью
Отзывы
Отзывов пока нет.