- Центральная длина волны 808nm
- Выходная мощность 150W
- Режим работы QCW
- Модуляция мощности 100%
- Количество излучателей 60
- Ширина излучателя 120um
- Длина полости 1000um
- Шаг эмиттера 160um
- Коэффициент заполнения 75%
- Ширина полосы 10000um
- Толщина 125um
- Пороговый ток 25А
- Рабочий ток 150-160А
- Рабочее напряжение 1,9-2,1W
- Длина импульса 803nm
- Эффективность преобразования 50%
- Эффективность наклона 1,2 W/А
- Медленное расхождение оси 10
- Расхождение по быстрой оси 39
- Спектральная ширина 4nm
- Температурные характеристики 0,28nm/℃
- Поляризация TE
- Рабочая температура LD25℃
150W 808nm QCW Laser Diode Bars and Chips
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.