4W 850nm Vcsel Die Diode Laser
Vcsel Die
- Центральная длина волны λ 850nm
- Оптическая мощность 4w
- Эффективность наклона 1,18w/А
- Эффективность преобразования энергии 42%
- Субстрат AIN
- Пороговый ток Lth 0,7 А
- Прямой ток 4,2 А
- Лазерное прямое напряжение 2,3v
- Серия Удельное сопротивление 0,55 Ом
- Рабочая температура -40 ~ 85℃
- Температура хранения -40 ~ 105℃
- Температурный дрейф длины волны 0,07nm/℃
- Температура пайки оплавлением 260 ℃
Отзывы
Отзывов пока нет.