- Центральная длина волны 808nm
- Выходная мощность 50W
- Режим работы CW
- Модуляция мощности 100%
- Количество излучателей 19
- Ширина излучателя 150um
- Длина полости 1000um
- Шаг эмиттера 500um
- Коэффициент заполнения 30%
- Ширина полосы 10000um
- Пороговый ток 6А
- Рабочий ток 48,5~50,5 А
- Рабочее напряжение 1,8-2,0v
- Эффективность наклона ≥1,15 W/А
- Медленное расхождение оси 12
- Расхождение по быстрой оси 39
- Спектральная ширина 4nm
- Температурные характеристики 0,28nm/℃
- Поляризация TE
- Рабочая температура LD25℃
50W 808nm Infrared Laser Diode Bare Chip, Laser Chip Manufacturer
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.