- Центральная длина волны 966nm – 976nm – 986nm
- Выходная мощность 8W
- Рабочий режим CW
- Ширина спектра 3nm
- Количество излучателей 1
- Ширина излучателя 95um
- Шаг эмиттера 400um
- Фактор заполнения 50%
- Длина полости 3990um – 4000um – 4010um
- Толщина 110um – 130um – 150um
- Быстрое расхождение осей (FWHM) 36 – 40 градусов
- Медленное расхождение осей (FWHM) 10 – 12 градусов
- Режим поляризации ТE
- Эффективность наклона 0,95 W/А – 1W/А
- Рабочий ток Iop 10А – 11А
- Пороговый ток Ith 0,7 А – 1А
- Рабочее напряжение 1,75v – 2v
- Эффективность преобразования 54% – 58%
- Рабочая Температура 15℃ – 25℃ – 35℃
- Температурный коэффициент длины волны 0,28nm/℃
8W 976nm CW Single Emitter Diode Laser Chip
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.