- Центральная длина волны 940nm
- Выходная мощность 10~12w
- Рабочий режим CW
- Ширина спектра на полувысоте ≤5nm
- Ширина излучателя 95um
- Ширина полости 390 ~ 410um
- Толщина полости 95 ~ 120um
- Длина полости 3990~4010um
- Быстрое расхождение осей (FWHM) 29 градусов
- Медленное расхождение осей (FWHM) 9 градусов
- Ширина спектра на полувысоте 4nm
- Режим поляризации ТE
- Эффективность наклона ≥0,95 w/А
- Рабочий ток Iop 13~14,5 А
- Пороговый ток Ith 0,7~1,0 А
- Рабочее напряжение 1,75~1,95v
- Рабочая Температура 25℃
- Температурный коэффициент длины волны 0,3 nm/℃
10W 940nm Single Emitter Laser Chip
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.