- Центральная длина волны 940nm
- Выходная мощность 200w
- Режим работы CW
- Модуляция мощности 100%
- Количество излучателей 24
- Ширина излучателя 140um
- Шаг эмиттера 400um
- Фактор заполнения 35%
- Ширина полосы 10000um
- Длина полости 3000um
- Толщина 125um
- Пороговый ток 20А
- Рабочий ток 210А
- Рабочее напряжение 1,65v
- Длина импульса 935nm
- Эффективность наклона 1,05 W/А
- Эффективность преобразования 58%
- Медленное расхождение оси 8
- Расхождение по быстрой оси 29
- Спектральная ширина 4nm
- Поляризация TE
- Температурные характеристики 0,34 nm/℃
- ЛД Рабочая температура 25℃
200W 940nm Semiconductor Laser Chip
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.