- Центральная длина волны 808nm±5nm
- Выходная мощность 200w
- Рабочий режим QCW
- Быстрое расхождение осей (FWHM) 40 градусов
- Медленное расхождение осей (FWHM) 12 градусов
- Ширина спектра на полувысоте 4nm
- Ширина импульса <400us
- Рабочий цикл <2%
- Частота <100 Гц
- Рабочий ток Iop 200А
- Пороговый ток Ith 20А
- Рабочее напряжение 2v
- Эффективность преобразования энергии 50%
- Рабочая Температура -45~ + 60℃
- Температура хранения -55~ + 85℃
- Лучшая рабочая температура～0,3нм/℃
200W 808nm Single Bar Laser Diode Array QCW
Однополосный лазерный диод
Отзывы
Отзывов пока нет.