Главная
Магазин

100mW 974nm Diode Laser Bare Chip

Лазерный чип

Запросить стоимость
Доступность: Доступно для предзаказа
  • Центральная длина волны 971nm – 974nm – 977nm
  • Выходная мощность 100mW
  • Ширина спектра 2nm
  • Ширина излучателя 4um
  • Длина полости 990 – 1000 – 1010um
  • Ширина чипа 490 – 500 – 510um
  • Толщина 135 – 150 – 165um
  • Быстрое расхождение осей (FWHM) 40градус
  • Медленная дивергенция оси (FWHM) 8градус
  • Рабочий ток Iop 120 – 130мА
  • Пороговый ток Ith 15мА
  • Рабочее напряжение 22,5v
  • Эффективность преобразования 30 – 40%
  • Рабочая Температура 25℃
  • Температурный коэффициент длины волны 0,3nm/℃
наверх
Товары были добавлены в корзину