- Центральная длина волны 971nm – 974nm – 977nm
- Выходная мощность 100mW
- Ширина спектра 2nm
- Ширина излучателя 4um
- Длина полости 990 – 1000 – 1010um
- Ширина чипа 490 – 500 – 510um
- Толщина 135 – 150 – 165um
- Быстрое расхождение осей (FWHM) 40градус
- Медленная дивергенция оси (FWHM) 8градус
- Рабочий ток Iop 120 – 130мА
- Пороговый ток Ith 15мА
- Рабочее напряжение 22,5v
- Эффективность преобразования 30 – 40%
- Рабочая Температура 25℃
- Температурный коэффициент длины волны 0,3nm/℃
100mW 974nm Diode Laser Bare Chip
Лазерный чип
Отзывы
Отзывов пока нет.