More products

IRF7416TRPBF

В корзину
  • Вид монтажа     Surface Mount
  • Корпус     8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Технология    MOSFET (Metal Oxide)
  • Рабочая температура    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Исполнение корпуса     8-SO
  • Рассеивание мощности (Макс)     2.5W (Ta)
  • Тип полевого транзистора     P-Channel
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)     30V
  • Ток стока (Id) @25°C      10A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs      20 mOhm @ 5.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs       92nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds      1700pF @ 25V
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)      4.5V, 10V
  • Vgs (Max)      ±20V

Электронные компоненты: Транзисторы