More products
IRFR9110TRLPBF
р.
р.
В корзину
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса D-Pak
Рассеивание мощности (Макс) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Тип полевого транзистора P-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V
Электронные компоненты: Транзисторы
Left
Right
Click to order
Total:
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить