More products

IRFR9110TRLPBF

В корзину
  • Вид монтажа     Surface Mount
  • Корпус      TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Технология     MOSFET (Metal Oxide)
  • Рабочая температура     -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Исполнение корпуса     D-Pak
  • Рассеивание мощности (Макс)    2.5W (Ta), 25W (Tc)
  • Тип полевого транзистора     P-Channel
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)     100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C       3.1A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs      1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id     4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs     8.7nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds      200pF @ 25V
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)     10V
  • Vgs (Max)     ±20V

Электронные компоненты: Транзисторы