More products

IRF 5210

В корзину
  • Вид монтажа     Through Hole
  • Корпус    TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
  • Технология     MOSFET (Metal Oxide)
  • Рабочая температура    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Исполнение корпуса    TO-262
  • Рассеивание мощности (Макс)     3.1W (Ta), 170W (Tc)
  • Тип полевого транзистора     P-Channel
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)    100V
  • Ток стока (Id) @25°C     38A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs        60 mOhm @ 38A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id  4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs    230nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds    2780pF @ 25V
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)      10V
  • Vgs (Max)     ±20V

Электронные компоненты: Транзисторы