75W 905nm Pulse QCW Single Emitter Diode Laser Chip

  • Центральная длина волны   890nm - 905nm - 920nm
  • Выходная мощность   75W
  • Рабочий режим   QCW
  • Ширина спектра   4nm
  • Ширина излучателя   200um
  • Ширина чипа   400um
  • Длина полости   990um - 1000um - 1010um
  • Толщина   110um - 130um - 150um
  • Быстрое расхождение осей (FWHM)   30 градусов
  • Медленное расхождение осей (FWHM)   10 градусов
  • Режим поляризации   TE
  • Эффективность наклона   2,8 W/А - 3W/А
  • Рабочий ток Iop   31А - 34А
  • Пороговый ток Ith   1,3 А
  • Рабочее напряжение   6,3В - 7В
  • Эффективность преобразования   35% - 40%
  • Ширина импульса    100um
  • Рабочий цикл   0,01%
  • Частота повторения   1000Hz
  • Рабочая Температура   25℃
  • Температурный коэффициент длины волны   0,31nm/℃

Лазерный чип: 905nm