More products
200W 940nm Semiconductor Laser Chip
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 940nm
Выходная мощность 200w
Режим работы CW
Модуляция мощности 100%
Количество излучателей 24
Ширина излучателя 140um
Шаг эмиттера 400um
Фактор заполнения 35%
Ширина полосы 10000um
Длина полости 3000um
Толщина 125um
Пороговый ток 20А
Рабочий ток 210А
Рабочее напряжение 1,65v
Длина импульса 935nm
Эффективность наклона 1,05 W/А
Эффективность преобразования 58%
Медленное расхождение оси 8
Расхождение по быстрой оси 29
Спектральная ширина 4nm
Поляризация TE
Температурные характеристики 0,34 nm/℃
ЛД Рабочая температура 25℃
Лазерный чип: 940nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить