More products

200W 940nm Semiconductor Laser Chip

В корзину
  • Центральная длина волны   940nm
  • Выходная мощность   200w
  • Режим работы   CW
  • Модуляция мощности   100%
  • Количество излучателей   24
  • Ширина излучателя   140um
  • Шаг эмиттера   400um
  • Фактор заполнения   35%
  • Ширина полосы   10000um
  • Длина полости   3000um
  • Толщина   125um
  • Пороговый ток   20А
  • Рабочий ток   210А
  • Рабочее напряжение   1,65v
  • Длина импульса   935nm
  • Эффективность наклона   1,05 W/А
  • Эффективность преобразования   58%
  • Медленное расхождение оси   8
  • Расхождение по быстрой оси   29
  • Спектральная ширина   4nm
  • Поляризация   TE
  • Температурные характеристики   0,34 nm/℃
  • ЛД Рабочая температура   25℃

Лазерный чип: 940nm