More products

10W 808nm Laser Chip Bonding

В корзину
  • Центральная длина волны   808nm
  • Выходная мощность   10W
  • Рабочий режим   CW
  • Эффективность наклона   1,22W/A
  • Ширина излучателя   190um
  • Шаг эмиттера   680um
  • Длина полости   4nm
  • Режим поляризации   ТE
  • Эффективность наклона   1,22W/A
  • Пороговый ток   1,25 А
  • Рабочий ток   10А
  • Рабочее напряжение   1,75v
  • Эффективность преобразования энергии   58%
  • Рабочая Температура   15-35℃
  • Температура хранения   0-80℃
  • Длина волны Темп. Коэффициент   0,28nm/℃

Лазерный чип: 808nm