More products
10W 808nm Laser Chip Bonding
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 808nm
Выходная мощность 10W
Рабочий режим CW
Эффективность наклона 1,22W/A
Ширина излучателя 190um
Шаг эмиттера 680um
Длина полости 4nm
Режим поляризации ТE
Эффективность наклона 1,22W/A
Пороговый ток 1,25 А
Рабочий ток 10А
Рабочее напряжение 1,75v
Эффективность преобразования энергии 58%
Рабочая Температура 15-35℃
Температура хранения 0-80℃
Длина волны Темп. Коэффициент 0,28nm/℃
Лазерный чип: 808nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить