5W 808nm Single Emitter Laser Chip

ширина спектра 4nm
ширина излучателя 100um
эффективность наклона 1W/A
эффективность преобразования 58%
оптимизированная конструкция эпитаксиальной структуры
уникальная технология для высочайшей надежности и срока службы

Лазерный чип: 808nm