More products

200mW 808nm TO Diode Laser

В корзину
  • Центральная длина волны    808nm
  • Допустимое отклонение длины волны    ±5nm
  • Выходная мощность    200mW
  • Быстрое расхождение осей    35Deg
  • Медленное расхождение осей    10Deg
  • Эффективность наклона    1,1w/А
  • Рабочий ток    250 мА
  • Пороговый ток    60 мА
  • Рабочее напряжение    1,95v
  • ЛД обратное напряжение    <2v
  • Рабочая Температура    -40 ~ 70℃
  • Температура хранения    -40 ~ 80℃

Одиночный излучатель: TO-Mount