3W 808nm TO Mount Diode Laser

  • Центральная длина волны    808nm
  • Допустимое отклонение длины волны     ±10nm
  • Выходная мощность    3w
  • Быстрое расхождение осей    38Deg
  • Медленное расхождение осей    12Deg
  • Рабочий ток Iop    3А
  • Пороговый ток Ith    0,8 А
  • Рабочее напряжение    2,2v
  • Температура испытания    25℃
  • Температура хранения     -40 ~ 80℃

Одиночный излучатель: TO-Mount