200W 808nm QCW Conduction Cooled Horizontal Stack G-Stack Diode Laser with FAC and Jenoptik Chips

  • Центральная длина волны λ 808nm
  • Допустимое отклонение длины волны ±5nm
  • Рабочий режим QCW
  • Выходная мощность 200w
  • Количество баров 1
  • Быстрая дивергенция оси FWHM 38 градусов
  • Медленная дивергенция оси FWHM 12 градусов
  • Ширина импульса <200us
  • Частота <100 Гц
  • Рабочий цикл <2%
  • Рабочий ток Iop 200А
  • Пороговый ток Ith 25А
  • Рабочее напряжение 1.8v
  • Эффективность преобразования энергии ~50%
  • Рабочая Температура 25°С
  • Температура хранения -40 ~ +80℃

Горизонтальный диод: 808nm