More products

1W 808nm TO-mounted Laser Diode with FAC

В корзину
  • Центральная длина волны    808nm
  • Допустимое отклонение длины волны    ±5nm
  • Выходная мощность    1w
  • Быстрое расхождение осей    35Deg
  • Медленное расхождение осей    10Deg
  • Рабочий ток Iop    1А
  • Пороговый ток Ith    80 мА
  • Рабочее напряжение   2v
  • ЛД обратное напряжение   <2v
  • Эффективность наклона    1,1w/А
  • Рабочая Температура   -40 ~ 70℃
  • Температура хранения    -40 ~ 80℃

Одиночный излучатель: TO-Mount