More products
1W 808nm TO-mounted Laser Diode with FAC
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 808nm
Допустимое отклонение длины волны ±5nm
Выходная мощность 1w
Быстрое расхождение осей 35Deg
Медленное расхождение осей 10Deg
Рабочий ток Iop 1А
Пороговый ток Ith 80 мА
Рабочее напряжение 2v
ЛД обратное напряжение <2v
Эффективность наклона 1,1w/А
Рабочая Температура -40 ~ 70℃
Температура хранения -40 ~ 80℃
Одиночный излучатель: TO-Mount
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить