More products
4W 850nm Vcsel Die Diode Laser Chip
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны λ 850nm
Оптическая мощность 4w
Эффективность наклона 1,18 w/А
Эффективность преобразования энергии 42%
Субстрат AIN
Пороговый ток Lth 0,7 А
Прямой ток 4,2 А
Лазерное прямое напряжение 2,3v
Серия Удельное сопротивление 0,55Ω
Рабочая температура -40 ~ 85℃
Температура хранения -40 ~ 105℃
Температурный дрейф длины волны 0,07nm/℃
Температура пайки оплавлением 260 ℃
VCSEL: VCSEL SMD
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить