More products

150W 808nm QCW Laser Diode Bars and Chips

В корзину
  • Центральная длина волны   808nm
  • Выходная мощность   150W
  • Режим работы   QCW
  • Модуляция мощности   100%
  • Количество излучателей   60
  • Ширина излучателя   120um
  • Длина полости   1000um
  • Шаг эмиттера   160um
  • Коэффициент заполнения   75%
  • Ширина полосы   10000um
  • Толщина   125um
  • Пороговый ток   25А
  • Рабочий ток   150-160А
  • Рабочее напряжение   1,9-2,1W
  • Длина импульса   803nm
  • Эффективность преобразования   50%
  • Эффективность наклона   1,2 W/А
  • Медленное расхождение оси   10
  • Расхождение по быстрой оси   39
  • Спектральная ширина   4nm
  • Температурные характеристики   0,28nm/℃
  • Поляризация   TE
  • Рабочая температура   LD25℃

Лазерный чип: 808nm