More products

100mW 650nm TO Diode Laser

В корзину
  • Центральная длина волны    650nm
  • Допустимое отклонение длины волны    ±10nm
  • Выходная мощность    100w
  • Быстрое расхождение осей    13Deg
  • Медленное расхождение осей   8Deg
  • Рабочий ток    130 ~ 150 мА
  • Ток частичного разряда    0,08~0,12 мА
  • Рабочее напряжение    2,4~2,6v
  • Рабочая Температура   25 ~ 50℃
  • Температура хранения    -40 ~ 80℃

Одиночный излучатель: TO-Mount