1W 640nm TO Mount Diode Laser

  • Центральная длина волны λ    640nm±10nm
  • Выходная мощность    1w
  • Быстрое расхождение осей (FWHM)    38Deg
  • Медленное расхождение осей (FWHM)    12Deg
  • Пороговый ток Lth    0,8 А
  • Рабочий ток Loop    1,5 А
  • Рабочее напряжение    2,2v
  • Температура испытания    25℃
  • Температура хранения    -40 ~ +80℃

Одиночный излучатель: TO-Mount