More products

100W 808nm Single Bar Laser Chip

В корзину
  • Длина волны импульса   803nm - 808nm - 813nm
  • Выходная мощность   100W
  • Рабочий режим   CW
  • Ширина спектра   4nm
  • Количество излучателей   47
  • Ширина излучателя   100um
  • Шаг эмиттера   200um
  • Фактор заполнения   50%
  • Ширина полосы   9900um - 10000um - 10100um
  • Длина полости   1490um - 1500um - 1510um
  • Толщина   110um - 130um - 150um
  • Быстрое расхождение осей (FWHM)   39 градусов
  • Медленное расхождение осей (FWHM)   10 градусов
  • Режим поляризации   ТE
  • Эффективность наклона   1,05 W/А - 1,15 W/А
  • Рабочий ток Iop   105А - 110А
  • Пороговый ток Ith   18А - 20А
  • Рабочее напряжение   1,8v - 2v 
  • Эффективность преобразования   50% - 55%
  • Рабочая Температура   15℃ - 25℃ - 35℃
  • Температурный коэффициент длины волны   0,28 ℃

Лазерный чип: 808nm