More products

VCSEL Diode Laser Stack Laserconn

В корзину
  • Центральная длина волны    808nm
  • Допустимое отклонение длины волны   ±8nm
  • Рабочий режим    QCW
  • Пиковая мощность     65 W/чип
  • Размер пятна    12,7х12,7
  • Быстрое расхождение осей (FWHM)     38 градусов
  • Медленное расхождение осей (FWHM)    12 градусов
  • Ширина импульса    ≤400ms
  • Рабочий цикл     ≤60%
  • Рабочий ток Iop    65А
  • Пороговый ток Ith    10А
  • Рабочее напряжение    8v
  • Эффективность преобразования энергии    45 ~ 48%
  • Рабочая Температура    15 ~ 30℃
  • Температура хранения    0 - 55℃

Вертикальный диод: 808nm