More products
VCSEL Diode Laser Stack Laserconn
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 808nm
Допустимое отклонение длины волны ±8nm
Рабочий режим QCW
Пиковая мощность 65 W/чип
Размер пятна 12,7х12,7
Быстрое расхождение осей (FWHM) 38 градусов
Медленное расхождение осей (FWHM) 12 градусов
Ширина импульса ≤400ms
Рабочий цикл ≤60%
Рабочий ток Iop 65А
Пороговый ток Ith 10А
Рабочее напряжение 8v
Эффективность преобразования энергии 45 ~ 48%
Рабочая Температура 15 ~ 30℃
Температура хранения 0 - 55℃
Вертикальный диод: 808nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить