More products

100mW 850nm Vcsel Die Diode Laser

В корзину
  • Центральная длина волны    850nm
  • Допустимое отклонение длины волны    ±10nm
  • Оптическая мощность    100mw
  • Диаметр излучателя    16um
  • Эффективность преобразования энергии    26%
  • Ширина чипа   270um
  • Длина чипа   270um
  • Толщина стружки   150um
  • Эффективность наклона    0,6w/А
  • Пороговый ток   0,25 А
  • Прямой ток   0,7 А
  • Лазерное прямое напряжение    2,5v
  • Температура испытания    20℃
  • Длина волны Темп. Коэффициент    0,31nm/℃

VCSEL: VCSEL Die