More products

8W 976nm CW Single Emitter Diode Laser Chip

В корзину
  • Центральная длина волны   966nm - 976nm - 986nm
  • Выходная мощность    8W
  • Рабочий режим   CW
  • Ширина спектра   3nm
  • Количество излучателей   1
  • Ширина излучателя   95um
  • Шаг эмиттера   400um
  • Фактор заполнения   50%
  • Длина полости   3990um - 4000um - 4010um
  • Толщина   110um - 130um - 150um
  • Быстрое расхождение осей (FWHM)   36 - 40 градусов
  • Медленное расхождение осей (FWHM)   10 - 12 градусов
  • Режим поляризации   ТE
  • Эффективность наклона   0,95 W/А - 1W/А
  • Рабочий ток Iop   10А - 11А
  • Пороговый ток Ith   0,7 А - 1А
  • Рабочее напряжение   1,75v - 2v
  • Эффективность преобразования   54% - 58%
  • Рабочая Температура   15℃ - 25℃ - 35℃
  • Температурный коэффициент длины волны   0,28nm/℃

Лазерный чип: 976nm