More products
8W 976nm CW Single Emitter Diode Laser Chip
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 966nm - 976nm - 986nm
Выходная мощность 8W
Рабочий режим CW
Ширина спектра 3nm
Количество излучателей 1
Ширина излучателя 95um
Шаг эмиттера 400um
Фактор заполнения 50%
Длина полости 3990um - 4000um - 4010um
Толщина 110um - 130um - 150um
Быстрое расхождение осей (FWHM) 36 - 40 градусов
Медленное расхождение осей (FWHM) 10 - 12 градусов
Режим поляризации ТE
Эффективность наклона 0,95 W/А - 1W/А
Рабочий ток Iop 10А - 11А
Пороговый ток Ith 0,7 А - 1А
Рабочее напряжение 1,75v - 2v
Эффективность преобразования 54% - 58%
Рабочая Температура 15℃ - 25℃ - 35℃
Температурный коэффициент длины волны 0,28nm/℃
Лазерный чип: 976nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить