More products

50W 808nm Infrared Laser Diode Bare Chip, Laser Chip Manufacturer

В корзину
  • Центральная длина волны   808nm
  • Выходная мощность   50W
  • Режим работы   CW
  • Модуляция мощности   100%
  • Количество излучателей   19
  • Ширина излучателя   150um
  • Длина полости   1000um
  • Шаг эмиттера   500um
  • Коэффициент заполнения   30%
  • Ширина полосы   10000um
  • Пороговый ток   6А
  • Рабочий ток    48,5~50,5 А
  • Рабочее напряжение   1,8-2,0v
  • Эффективность наклона    ≥1,15 W/А
  • Медленное расхождение оси   12
  • Расхождение по быстрой оси   39
  • Спектральная ширина   4nm
  • Температурные характеристики   0,28nm/℃
  • Поляризация   TE
  • Рабочая температура   LD25℃

Лазерный чип: 808nm