More products
50W 808nm Infrared Laser Diode Bare Chip, Laser Chip Manufacturer
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 808nm
Выходная мощность 50W
Режим работы CW
Модуляция мощности 100%
Количество излучателей 19
Ширина излучателя 150um
Длина полости 1000um
Шаг эмиттера 500um
Коэффициент заполнения 30%
Ширина полосы 10000um
Пороговый ток 6А
Рабочий ток 48,5~50,5 А
Рабочее напряжение 1,8-2,0v
Эффективность наклона ≥1,15 W/А
Медленное расхождение оси 12
Расхождение по быстрой оси 39
Спектральная ширина 4nm
Температурные характеристики 0,28nm/℃
Поляризация TE
Рабочая температура LD25℃
Лазерный чип: 808nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить