More products
200W 808nm Single Bar Laser Diode Array QCW
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 808nm±5nm
Выходная мощность 200w
Рабочий режим QCW
Быстрое расхождение осей (FWHM) 40 градусов
Медленное расхождение осей (FWHM) 12 градусов
Ширина спектра на полувысоте 4nm
Ширина импульса <400us
Рабочий цикл <2%
Частота <100 Гц
Рабочий ток Iop 200А
Пороговый ток Ith 20А
Рабочее напряжение 2v
Эффективность преобразования энергии 50%
Рабочая Температура -45~ + 60℃
Температура хранения -55~ + 85℃
Лучшая рабочая температура ~0,3нм/℃
Однополосный диод: 808nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить