200W 808nm Single Bar Laser Diode Array QCW

  • Центральная длина волны     808nm±5nm
  • Выходная мощность   200w
  • Рабочий режим    QCW
  • Быстрое расхождение осей (FWHM)    40 градусов
  • Медленное расхождение осей (FWHM)     12 градусов
  • Ширина спектра на полувысоте     4nm
  • Ширина импульса    <400us
  • Рабочий цикл    <2%
  • Частота    <100 Гц
  • Рабочий ток Iop     200А
  • Пороговый ток Ith    20А
  • Рабочее напряжение    2v
  • Эффективность преобразования энергии     50%
  • Рабочая Температура     -45~ + 60℃
  • Температура хранения    -55~ + 85℃
  • Лучшая рабочая температура ~0,3нм/℃     

Однополосный диод: 808nm