More products
12W 940nm Single Emitter Laser Chip
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 930nm - 940nm - 950nm
Выходная мощность 12W
Рабочий режим CW
Модуляция мощности 100%
Ширина спектра 4nm
Ширина излучателя 90um - 95um
Шаг эмиттера 390um - 400um - 410um
Фактор заполнения 100%
Длина полости 3990um - 4000um - 4010um
Толщина 110um - 130um - 150um
Быстрое расхождение осей (FWHM) 29 градусов
Медленное расхождение осей (FWHM) 9 градусов
Режим поляризации TE
Эффективность наклона 1W/А
Рабочий ток Iop 13А - 11А
Пороговый ток Ith 0,7А - 1А
Рабочее напряжение 1,7 v - 2v
Эффективность преобразования 52% - 56%
Рабочая Температура 15℃ - 25℃ - 35℃
Температурный коэффициент длины волны 0,34nm/℃
Лазерный чип: 940nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить