12W 940nm Single Emitter Laser Chip

  • Центральная длина волны   930nm - 940nm - 950nm
  • Выходная мощность   12W
  • Рабочий режим   CW
  • Модуляция мощности   100%
  • Ширина спектра   4nm
  • Ширина излучателя   90um - 95um
  • Шаг эмиттера   390um - 400um - 410um
  • Фактор заполнения   100%
  • Длина полости   3990um - 4000um - 4010um
  • Толщина   110um - 130um - 150um
  • Быстрое расхождение осей (FWHM)   29 градусов
  • Медленное расхождение осей (FWHM)   9 градусов
  • Режим поляризации   TE
  • Эффективность наклона   1W/А
  • Рабочий ток Iop   13А - 11А
  • Пороговый ток Ith   0,7А - 1А
  • Рабочее напряжение   1,7 v - 2v
  • Эффективность преобразования   52% - 56%
  • Рабочая Температура   15℃ - 25℃ - 35℃
  • Температурный коэффициент длины волны   0,34nm/℃

Лазерный чип: 940nm