1W 640nm C-Mount Diode Laser

  • Центральная длина волны    640nm
  • Допустимое отклонение длины волны    ±5nm
  • Выходная мощность    1w
  • Ширина спектра    8nm
  • Эффективность наклона    1,1w/А
  • Рабочий ток Iop    1,5 А
  • Пороговый ток Ith    0,5А
  • Рабочее напряжение    2,2v
  • Эффективность преобразования энергии    35%
  • Рабочая Температура    15 ~ 35℃
  • Температура хранения    -40 - 80℃
  • Длина волны Темп. Коэффициент    0,3nm/℃

Одиночный излучатель: C-Mount