More products

6W 808nm Chip on Submount Diode Laser

В корзину
  • Центральная длина волны   808nm
  • Допустимое отклонение длины волны   ±10nm
  • Выходная мощность   6w
  • Ширина излучателя   100um
  • Пороговый ток   0,9A
  • Рабочий ток   6А
  • Рабочее напряжение   1,8v
  • Температура испытания   25℃
  • Температура хранения   -30 - 70℃
  • Длина волны Темп. Коэффициент   0,35nm/℃

Лазерный диод: 808nm