More products
High-power Industrial Laser Chips 300W 808nm
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 808nm
Выходная мощность 300W
Режим работы QCW
Модуляция мощности 100%
Количество излучателей 60
Ширина излучателя 120um
Длина полости 1500um
Шаг эмиттера 160um
Коэффициент заполнения 75%
Ширина полосы 10000um
Толщина 125um
Пороговый ток 30А
Рабочий ток 280-290А
Рабочее напряжение 1,9-2,1v
Длина импульса 803nm
Эффективность преобразования 50%
Эффективность наклона 1,2 W/А
Медленное расхождение оси 12
Расхождение по быстрой оси 39
Спектральная ширина 4nm
Температурные характеристики 0,28 nm/℃
Поляризация ТE
рабочая температура LD 25℃
Лазерный чип: 808nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить