More products
100mW 974nm Diode Laser Bare Chip
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 971nm - 974nm - 977nm
Выходная мощность 100mW
Ширина спектра 2nm
Ширина излучателя 4um
Длина полости 990 - 1000 - 1010um
Ширина чипа 490 - 500 - 510um
Толщина 135 - 150 - 165um
Быстрое расхождение осей (FWHM) 40градус
Медленная дивергенция оси (FWHM) 8градус
Рабочий ток Iop 120 - 130мА
Пороговый ток Ith 15мА
Рабочее напряжение 22,5v
Эффективность преобразования 30 - 40%
Рабочая Температура 25℃
Температурный коэффициент длины волны 0,3nm/℃
Лазерный чип: 976nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить