More products

100mW 974nm Diode Laser Bare Chip

В корзину
  • Центральная длина волны    971nm - 974nm - 977nm
  • Выходная мощность   100mW
  • Ширина спектра   2nm
  • Ширина излучателя   4um
  • Длина полости   990 - 1000 - 1010um
  • Ширина чипа   490 - 500 - 510um
  • Толщина   135 - 150 - 165um
  • Быстрое расхождение осей (FWHM)   40градус
  • Медленная дивергенция оси (FWHM)   8градус
  • Рабочий ток Iop   120 - 130мА
  • Пороговый ток Ith   15мА
  • Рабочее напряжение   22,5v
  • Эффективность преобразования   30 - 40%
  • Рабочая Температура   25℃
  • Температурный коэффициент длины волны   0,3nm/℃

Лазерный чип: 976nm